日期:2020-08-10 瀏覽次數(shù):301
提高LED性能一直都是科學(xué)家的一個研究課題。倫敦帝國學(xué)院(Imperial College London)的研究團(tuán)隊(duì)近期提出將納米顆粒的可定制元網(wǎng)格(Meta-Grid)嵌入LED中的方法,可以提高LED的光輸出和壽命。
研究員提出通過減少固定光子逃逸錐內(nèi)芯片/封裝材料界面處的菲涅耳反射損失(Fresnel Reflection Loss),來提高LED芯片內(nèi)部產(chǎn)生的光在LED芯片/封裝材料界面的傳輸,同時(shí)規(guī)定對制程產(chǎn)生最小的變化。
研究表明,峰值發(fā)射波長條件下,在典型的LED芯片/封裝材料界面的光傳輸可增高達(dá)99%,而在正入射情況下則僅為84%。此方案能夠提高整個LED發(fā)射光譜范圍內(nèi)光子逃逸錐里的光傳輸,這不僅可以降低能耗,還能通過減少芯片內(nèi)部不必要反射產(chǎn)生的發(fā)熱來提高LED的壽命。
研究員認(rèn)為,此方案有望輕易使用并應(yīng)用于現(xiàn)有的半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)中,還能夠獨(dú)立使用,或結(jié)合其他方法,用于減少LED臨界角損失。
據(jù)悉,這項(xiàng)研究已于7月發(fā)表在《光:科學(xué)與應(yīng)用》(Light Science & Application)期刊上。
西安交大通過抑制離子遷移實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定全無機(jī)鈣鈦礦LED
器件中離子遷移途徑分為兩類:鈣鈦礦發(fā)射層和電荷傳輸中間層之間的離子交換以及離子通過它們的滲透,以及金屬原子從電極擴(kuò)散到甚至穿過電荷傳輸層的擴(kuò)散。遷移會導(dǎo)致鈣鈦礦和中間層的缺陷形成和材料降解,以及電極腐蝕,致使器件性能迅速下降。
此外,全無機(jī)CsPbX3材料因其具有較高的光熱穩(wěn)定性,成為近年發(fā)光二極管中的明星材料。然而,其前驅(qū)材料自身溶解度較低,使得相應(yīng)薄膜容易結(jié)晶質(zhì)量低、缺陷密度高、形貌差,進(jìn)而造成非輻射復(fù)合幾率升高,大大降低器件效率。這些缺陷導(dǎo)致的相關(guān)穩(wěn)定性問題也阻礙了無機(jī)鈣鈦礦發(fā)光二極管的穩(wěn)定性發(fā)展。
針對以上鈣鈦礦發(fā)光二極管中所存在的離子遷移以及CsPbBr3薄膜成膜質(zhì)量差的問題,西安交通大學(xué)吳朝新教授組研究了“insulator-perovskite-insulator”(IPI)全無機(jī)異質(zhì)結(jié)器件結(jié)構(gòu),即雙層LiF層包裹鈣鈦礦發(fā)光層形成類三明治結(jié)構(gòu),并結(jié)合無機(jī)半導(dǎo)體材料ZnS-ZnSe組合作為聯(lián)級電子傳輸層取代以往的有機(jī)半導(dǎo)體傳輸材料,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了有效的載流子傳輸性和離子遷移的抑制。
全無機(jī)異質(zhì)結(jié)器件結(jié)構(gòu)顯著抑制了電場誘導(dǎo)下鈣鈦礦層的離子遷移,并阻礙了金屬原子向發(fā)光層的擴(kuò)散。另一方面,利用多元A位摻雜效應(yīng),通過引入堿金屬離子制備出致密均勻的三元Cs/Rb/KPbBr3薄膜。此外,觀察到在預(yù)退火過程中反溶劑氛圍處理與薄膜的成膜性和光學(xué)特性密切相關(guān),這進(jìn)一步從一定程度上提高了薄膜熒光質(zhì)量。
結(jié)果,優(yōu)化后的三元鈣鈦礦發(fā)光二極管的器件效率為35.15 cd A-1(EQE 11.05 %)。同時(shí),該器件在儲存264小時(shí)后仍能保持原有EQE的90 %。在初始亮度為100 cd m-2的穩(wěn)定性測試下,器件的T50壽命超過255小時(shí)。
工作提出的全無機(jī)異質(zhì)結(jié)器件結(jié)構(gòu)為實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定的鈣鈦礦發(fā)光二極管開辟了一條新的途徑。
該項(xiàng)研究以“Suppressing Ion Migration Enables Stable Perovskite Light-Emitting Diodes with All-Inorganic Strategy”為題近期發(fā)表于國際期刊Advanced Functional Materials (2020)。
據(jù)介紹,吳朝新教授團(tuán)隊(duì)長期研究新型功能材料的“光-電”與“電-光”物理機(jī)制及其器件應(yīng)用,如太陽能電池與發(fā)光二極管,近期有多項(xiàng)重要成果發(fā)表于國際頂級期刊。
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